トリス(ジメチルアミノ)シラン

基本情報

• 化学名: トリス(ジメチルアミノ)シラン
• CAS番号: 15112-89-7
• 化学分子式: C₆H₁₉N₃Si
• 分子量: 161.322
• Hs コード: 2931900090
• Mol ファイル ダウンロード: 15112-89-7.mol

別名: N,N,N′,N′,N′′,N′′-ヘキサメチルシラントリアミン , N,N′,N′′-シラントリイルトリス(ジメチルアミン) , トリス(ジメチルアミノ)シラン , N,N′,N′′-(シラントリイル)トリス(ジメチルアミン) , [ビス(ジメチルアミノ)シリル]ジメチルアミン , [bis(dimethylamino)silyl]dimethylamine ,

関連する cas 番号: 10000-42-7 100-00-5 1000-05-1 10000-56-3 100007-55-4 100010-02-4 10001-13-5 10001-43-1 100015-12-1 100-01-6

化学物質詳細情報

物性情報:

安全性情報:

• ピクトグラム: F,C
• 危険コード: F,C
• ステートメント: 10-36/37/38

用途:

• 法規制番号: EINECS2391650 , TSCA(15112-89-7) , 2-(3)-424 , 2-(3)-430 , (2)-4149 ,
• 紹介と応用です: トリス(ジメチルアミノ)シラン（TDMAS）は、シリコンを含む多成分の薄膜の形成に用いられる有機矽化合物です。Siオキシニトリド、カーボニトリド、ニトリド、および酸化物薄膜の蒸発沈積に使用されます。TDMASは、低基板温度（150℃以下）での蒸発沈積が可能であるため、省エネルギーかつコスト効率的なプロセスを実現します。さらに、TDMASは適切な融点と蒸気圧を持つため、半導体、オプトエレクトロニクス、太陽エネルギーなど、さまざまな産業分野における化学気相沈積（CVD）プロセスにおいて理想的な前駆体として用いられます。TDMASは、太陽エネルギー部門ではシリコン基やその他の化合物半導体素材の薄膜太陽電池の沈積に利用され、低温度での沈積プロセスは基板に対する熱ストレスを最小限に抑えながら高性能の太陽電池を製造するのに有利です。TDMASは食品産業や医薬品でのサプリメントとして用いられるグルタミンと異なり、様々な薄膜の形成に用いられる化学分析物質です。