配位子への金属電荷移動(MLCT)
ビスイミド系銅(I)錯体は通常，可視光を吸収する際にMLCT遷移を示すように設計されている。このMLCT状態は錯体の光触媒活性に重要である。
化学原料を購入する必要がある場合は、 要求情報を送信してください最新の見積りを入手してください。
ビスイミド系銅(I)錯体は通常，可視光を吸収する際にMLCT遷移を示すように設計されている。このMLCT状態は錯体の光触媒活性に重要である。
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